再迎“iPhone X 时刻”:20 周年款苹果手机前瞻,整机如一块玻璃、按键将全固态
IT之家 11 月 11 日消息,科技媒体 MacRumors 昨日(11 月 10 日)发布博文,梳理、验证和汇总多条供应链消息和可靠信源爆料,认为苹果为庆祝 iPhone 问世 20 周年,会在 2027 年 9 月推出 20 周年版 iPhone(上市后可能名为 iPhone 20 Pro),有望迎来外观、屏幕、…
IT之家 11 月 11 日消息,科技媒体 MacRumors 昨日(11 月 10 日)发布博文,梳理、验证和汇总多条供应链消息和可靠信源爆料,认为苹果为庆祝 iPhone 问世 20 周年,会在 2027 年 9 月推出 20 周年版 iPhone(上市后可能名为 iPhone 20 Pro),有望迎来外观、屏幕、交互、影像与芯片等全方位升级。
苹果 20 周年 iPhone 的 10 项主要变化:
四曲面全玻璃外观:屏幕玻璃向四边弯曲,视觉上弱化甚至隐藏金属边框。
更激进的全面屏:正面几乎无边界,呈现“一整块玻璃”的观感。
屏下 Face ID:人脸识别组件有望完全隐藏于屏幕下方。
屏下前置摄像头:取消屏幕开孔,实现真正无挖孔的正面设计。
固态按键:侧边、音量、操作及相机控制按键可能改为触觉反馈式设计。
新一代 OLED 屏幕:苹果正与三星开发更先进的面板,但 COE 技术能否按时应用仍存变数。
A21 Pro 芯片:预计采用第二代 2 纳米制程,提升性能与能效。
硅阳极电池:单位重量可储存更多锂离子,有望在不增大机身的前提下延长续航。
自研图像传感器:采用 LOFIC 技术,最高或实现 20 档动态范围。
更强端侧 AI 与通信:垂直堆叠 DRAM 可提升 AI 性能,第三代苹果基带则有望增强网络体验。
外观方面,这款旗舰 iPhone 20 Pro 将成为自 2017 年 iPhone X 以来最彻底的一次设计革新,机身正面或呈现为一块几乎无边界、四边弯曲的玻璃,金属边框在正常使用时被隐藏,视觉上更接近“一整块玻璃”。
面板方面,IT之家此前报道,苹果公司预估推迟部署 CoE 和 LTPO+ 两项显示技术,不过依然会采用无边四曲面弯折屏幕方案。
CoE 是 Color Filter on Encapsulation 的缩写,直译为封装彩色滤光片,指将显示屏所需的彩色滤光结构整合至封装层附近或面板内部,可减少部分传统光学结构占用的空间。
而 LTPO+ 是指低温多晶氧化物增强型屏幕,是以氧化物晶体管替代部分 LTPO 驱动晶体管的显示背板技术方案。显示背板负责驱动像素发光和刷新,可以减少准分子激光退火(ELA)等制造工序,并改善面板能效。
屏幕尺寸方面,消息称 iPhone 20 Pro 屏幕尺寸为 6.41 英寸,而 iPhone 20 Pro Max 的尺寸为 6.96 英寸,而且后者发布时可能以接近 7 英寸的规格进行宣传。

交互方面,消息称苹果正在测试无实体位移的固态按键,侧边键、音量键、操作按钮及相机控制键或均改由压力感应与触觉马达反馈实现;按键位置保留,但不再有传统机械行程,机身开孔减少后,有望进一步提升密封性与一体感。
固态按键(Solid-state button)是一种没有机械活动部件、靠传感器识别按压的按键。它看起来可能仍是一个按键区域,但按下去时并不会真的“沉下去”,而是由压力 / 触摸传感器识别动作,再由线性马达模拟出类似实体按键的震动和“咔哒”反馈。
苹果其实已经用过类似技术:iPhone 7 起的固态 Home 键,以及 MacBook 的 Force Touch 触控板,都是“看起来能按、实际靠传感器加震动反馈”的方案。

屏幕方面,苹果据称在测试屏下 Face ID 和前置摄像头,希望取消正面可见开孔;不过屏下光学方案能否在 2027 年达到量产成像标准仍不确定,灵动岛也可能因此保留。
硬件上,iPhone 20 Pro 预计搭载第二代 2 纳米制程芯片,Pro 版本或命名为 A21 Pro,并可能采用垂直堆叠 DRAM 以提升内存带宽和端侧 AI 性能。
调制解调器方面,苹果正在研发其调制解调器,希望在速度和人工智能功能方面超越高通的同类产品;其第三代调制解调器预计将于 2027 年发布,届时有望最终超越高通的产品。
iPhone 16e 和 iPhone Air 使用的是 C1 和 C1X 调制解调器,而 iPhone 18 Pro 和 iPhone Duo 则使用 C2 调制解调器。目前只有美国版 iPhone 18 Pro Max 仍在使用高通调制解调器。
影像方面,苹果有望改用自研堆叠式传感器,并引入 LOFIC 技术,动态范围最高有望达到 20 档。

电池与通信同样可能升级。硅负极电池有望在不增加体积的情况下提升存储能力;第三代自研基带则被传将在速度和 AI 能力上进一步追赶甚至超越高通方案。
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